臺積電將于 2024 年取得高 NA EUV 光刻機，有助于 2nm 工藝量產(chǎn)
作者：admin 發(fā)布時間：2022-09-18點擊：
9 月 16 日消息，臺積電研究大將米玉傑博士透露，臺積電將在 2024 年取得 ASML 下世代極紫外光微影設備（high-NA EUV），為客戶發(fā)展相關的基礎設施與架構(gòu)解決方案。
臺積電業(yè)務開發(fā)副總裁張曉強之前曾經(jīng)表示，取得設備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究。
從之前公布的信息來看，High-NA EUV 光刻設備的單價估計為 4 億美元（約 28 億元人民幣），是現(xiàn)有 EUV 光刻設備的兩三倍。
易得通曾報道，三星電子副董事長李在镕此前與 ASML 公司就引進該荷蘭半導體設備制造商的下一代極紫外（EUV）光刻設備進行了會談，并就引進今年生產(chǎn)的 EUV 光刻設備和計劃于明年推出的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻設備達成了協(xié)議。
今年早些時候，英特爾還宣布已簽署合同購買 5 臺這種設備（TWINSCAN NXE:3600D），用于在 2025 年生產(chǎn) 1.8 納米芯片。臺積電也在 6 月 16 日的美國硅谷技術(shù)研討會上表示，它將在 2024 年在全球首次將 High-NA EUV 光刻設備引入其工藝。
就目前來看，先進光刻技術(shù)是衡量芯片制造上限的關鍵因素，而這種 High-NA 光刻技術(shù)有望降低 66% 的尺寸大小。而在芯片制造領域，雖然目前的 3nm、5nm 已經(jīng)不代表實際柵極寬度，但肯定還是越小越好。
據(jù)悉，這款新型 EUV 系統(tǒng)可實現(xiàn) 0.55 數(shù)值孔徑，與此前配備 0.33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 系統(tǒng)（TWINSCAN NXE:3400B 和 NXE:3400C）相比，精度會有所提高，可以實現(xiàn)更高分辨率的圖案化。
據(jù)悉，目前 ASML 每臺機器的成本高達 1.6 億美元，而各大芯片制造商還計劃在未來幾年投資逾 1000 億美元建造額外的制造廠，以滿足進一步的半導體需求。
官方曾透露，這種 High-NA 機器將比現(xiàn)有機器大 30%，而之前的機器已經(jīng)大到難以想象，甚至需要三架波音 747 來裝載它們。
臺積電此前宣布，其目標是在 2025 年量產(chǎn)其 N2 工藝，與 3nm 制程節(jié)點不同，2nm 制程節(jié)點將使用 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，臺積電稱相比 3nm 工藝會有 10% 到 15% 的性能提升，還可以將功耗降低 25% 到 30%。預計 N2 工藝于 2024 年末將做好風險生產(chǎn)的準備，并在 2025 年末進入大批量生產(chǎn)，客戶在 2026 年就能收到首批芯片。
